Банки Украины: Все Киев Харьков Днепропетровск Одесса |
Imec представил технологию, которая вдвое увеличит плотность размещения транзисторов
30.06.2018 в 15:26
Imec продолжает радовать разработками, открывающими путь к производству полупроводников с нормами менее 5–3 нм. Среди прочих докладов на симпозиуме VLSI Technology 2018 разработчики центра рассказали о найденной серии технологических цепочек, которая позволит выпускать комплиментарные пары полевых транзисторов с использованием технологических норм менее 3 нм (complementary FET, CFET). Процесс производства CFET по энергоэффективности и производительности транзисторов может в итоге превзойти техпроцесс FinFET применительно к технологическим нормам 3 нм. Более того, техпроцесс CFET открывает возможность уменьшить на 50% размеры как стандартных (цифровых) ячеек, так и ячеек памяти SRAM. Напомним, что на использовании комплиментарных пар транзисторов базируются классические КМОП (CMOS) техпроцессы производства микросхем. Это транзисторы с разным типом проводимости (n и p), но идентичные или почти идентичные по параметрам. Разработчики Imec внесли смелое предложение создавать на кристалле комплиментарные транзисторы не рядом, а друг над другом. В предложенной Imec цепочке операций по обработке кремниевой пластины полевой транзистор n-типа (nFET) располагается над полевым транзистором p-типа (pFET). Источник: 3dnews.ru
|
Для ВасНовостиГлавные новости
Авторизация |
© 2011-2024 информационное агентство «AllBanks.com.ua» При использовании материалов гиперссылка на AllBanks.com.ua обязательна. |
- О проекте - Реклама - Контакты |
|