Банки УкраиныНовости

Технологический прорыв: США и Япония создают "оперативную память будущего"

Американские и японские компании совместно финансируют проект, который позволит в коммерческом масштабе производить принципиально новую оперативную память для электронных устройств следующего поколения. Снижение энергопотребления и миниатюризация сделают ее идеальным компонентом для планшетников и смартфонов будущего.

В альянс, работающий над созданием нового типа “оперативки”, входят такие крупные игроки, как Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и Micron Technology, а в общей сложности 20 компаний. Они обещают заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM), которую можно найти в любом современном смартфоне или ПК, на так называемую MRAM (магниторезистивную память с произвольным доступом).

Разработки в этой области ведутся еще с 90-х гг. прошлого века, и принцип действия MRAM давно изучен: такая память хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.

Такая схема позволяет добиться десятикратного ускорения работы при десятикратном увеличении объема хранимых данных. При этом резко снижается энергопотребление. По информации японского издания Nikkei, альянс исследователей обещает, что платы MRAM будут потреблять в три раза меньше электричества.

Главной задачей проекта станет поиск возможностей для массового производства таких компонентов. Ответы ученые обещают найти к 2018 г., когда MRAM начнут выпускать в коммерческих объемах.

Интересно, что уже сегодня существует компания Everspin Technologies, которая производит MRAM-платы. Поставки реальных устройств на основе этой технологии она запускает только сейчас, но может стать лидером на рынке, если действительно начнет продавать работоспособные компоненты в серьезных объемах, до того как американско-японский консорциум добьется своей цели.

Для Вас

• Банки Украины
• Обмен валюты
• Курсы Нацбанка
• Новости
• Вклады ф/л
• Потреб. кредиты

Авторизация